在理想情况下，电路中电压U与电流I之间的相位角是90°，由于介电损耗的存在U和I之间出现相位差角θ，它小于90°，即θ=90°-δ，因此作为电介质玻璃的功率损耗即介电损耗Q为：

Q=UIcos(90°-δ)=UIsinδ

当δ值很小时，sinδ≈tanδ≈δ，此δ角称为介电损耗角，一般用tanδ或δ的大小表示介电损耗。

玻璃中的介电损耗按性质包括电导损耗、松弛损耗、结构损耗、共振损耗。

（1）电导损耗：电导损耗由网络外体离子沿电场方向移动而产生。降低温度或增大频率可减小离子迁移而降低电导损耗。

（2）松弛损耗：松弛损耗由网络外体离子在一定势垒间随电场做微小运动而产生。与电导损耗相比，松弛损耗出现在较高频率处，当温度升高时，它的极大值向高频方向移动，而增大频率时，则向高温方向移动。

（3）结构损耗：结构损耗是由于玻璃网络松弛变形而造成，它随温度和频率而变化。

（4）共振损耗：共振损耗由网络外体离子或网络形成体的本征振动吸收能力所造成。这种损耗一般发生频率大于10⁷Hz.

电导损耗和松弛损耗之和常称为迁移损耗。在室温以上，频率在10⁶Hz以下，玻璃的介电损耗主要是迁移损耗，其大小主要决定于网络外体离子的溶度、离子活动的程度和结构强度等，因此，在玻璃化学成分中凡是增大电导率的氧化物都会增大介电损耗。含有碱金属氧化物的玻璃将具有较大的介电损耗，加入重金属氧化物能降低含碱玻璃的介电损耗，其中尤以BaO、PbO、SrO较为显著。

玻璃的介电损耗随温度的升高而增大，因温度升高，结构网络疏松，碱离子的活动能力增大，在20~80℃，玻璃的tanδ值增大4~6倍。

在高频范围内（＞10⁶Hz），玻璃的介电损耗随频率的增加而增大，例如在常温1MHz时，硅酸盐玻璃tanδ为9×10^-4，而在3000MHz时，则为36×10^-4。

热处理同样能对玻璃的介电损耗产生影响。从T_g以上温度急冷的玻璃由于保存了高温疏松的结构，所以其介电损耗比退火玻璃大。值得注意的是，在T_g以下仍与急冷温度有关，这是在玻璃密度和折射率性质上没有发现的。因此在T_g以下玻璃的介电损耗还与玻璃的热历史有关。

微晶玻璃的介电损耗比同成分的玻璃要小。